型号:ZXM66P02N8TC | 类别:FET - 单 | 制造商:Diodes Inc |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET P-CHAN 20V 8SOIC |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET P-CHAN 20V 8SOIC |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 6.4A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 25 毫欧 @ 3.2A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 700mV @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 43.3nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 2068pF @ 15V |
功率_最大 | 1.56W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOP |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
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