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电子元器件详细资料 » IC[34448] » ZXM66P02N8TC
型号:ZXM66P02N8TC类别:FET - 单制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET P-CHAN 20V 8SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET P-CHAN 20V 8SOIC
系列-
制造商Diodes Inc
FET型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C25 毫欧 @ 3.2A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222700mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs43.3nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds2068pF @ 15V
功率_最大1.56W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOP
包装带卷 (TR)

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
深圳市金嘉锐电子有限公司朱先生086-0755-22929859
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ZXM66P02N8TC相关型号

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